使用可控硅作控制器件時(shí)的接線要求

使用可控硅作控制器件時(shí)的接線要求<&#b7xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

1棺克、可控硅的觸發(fā)（控制）回路連線

調(diào)節(jié)儀表的觸發(fā)信號(hào)連線必須直接接至可控硅相關(guān)的端子或引腳上垛吗，快速熔絲及測量負(fù)載電流的電表必須嚴(yán)格按圖示規(guī)定的位置串接在可控硅的陽極取電段宏粤，絕不可在觸發(fā)回路內(nèi)串入熔絲、開關(guān)、電流表或一段流過負(fù)載大電流的連線（即電阻），也不要借用負(fù)載電力線作其中的一根觸發(fā)信號(hào)線，以防止在觸發(fā)信號(hào)中疊加上由負(fù)載電流造成的干擾電壓刊愚，以至調(diào)節(jié)不良甚至失控。（見下圖）

                       陽極—控制極驅(qū)動(dòng)方式

                     陰極—控制極觸發(fā)方式

只要在可控硅的控制極與陰極之間加上時(shí)間為數(shù)微秒（0.00000X 秒）踩验、幅值為1～2V左右的瞬間電壓即可讓其導(dǎo)通鸥诽，而一般可控硅的工作現(xiàn)場均存在各種高幅值的射頻輻射，可控硅與控制其工作的儀表之間的連線就車位兩支天線箕憾，接收這種輻射信號(hào)牡借，情況嚴(yán)重時(shí)將會(huì)產(chǎn)生誤觸發(fā)，因此要求可控硅的兩根控制線要盡量短袭异，線阻要在0.1Ω內(nèi)钠龙，而且要將兩根連線相互絞合走線，以抵消接收到的干擾信號(hào)御铃，這在通常情況下十分有效碴里。

采用可控硅陽極觸發(fā)信號(hào)的系統(tǒng)，必須確保整個(gè)可控硅回路的所有連接點(diǎn)接觸良好上真，否則可能因大電流主控可控硅未能快速導(dǎo)通咬腋、致使儀表內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)用小電流可控硅因超時(shí)流過全部的負(fù)載電流而損壞。

如發(fā)現(xiàn)某一相負(fù)載上的電壓呈震蕩狀抖動(dòng)睡互，可試把該相的觸發(fā)信號(hào)反相連接根竿，即把該一相可控硅至儀表接線端子上的兩根脈沖輸出線互換。

2就珠、凡用三快儀表驅(qū)動(dòng)三個(gè)可控硅的控制三相負(fù)載的調(diào)節(jié)系統(tǒng)寇壳，必須嚴(yán)格按使用說明書接線，必須分清A嗓违、B九巡、C三根相線的相序图贸，不可用同一相線為三塊儀表供電蹂季。

3冕广、儀表的供電與其鎖控制負(fù)載的供電必須取自同一電源：如同為A相和中線N或同為B相和中線N〕ソ啵或同為A相和C相（儀表選380V規(guī)格時(shí)）撒汉，否則將導(dǎo)致系統(tǒng)工作的不正常甚至燒毀儀表和可控硅。

4涕滋、儀表驅(qū)動(dòng)可控硅控制負(fù)載的調(diào)節(jié)系統(tǒng)睬辐，不提倡用專門變壓器或穩(wěn)壓器單獨(dú)對(duì)儀表供電，以為可能由此產(chǎn)生儀表與負(fù)載二者之間交流電源過零點(diǎn)的相移而使系統(tǒng)不能正常工作宾肺。倘發(fā)生相移而致的問題溯饵，可在儀表的供電端子上并聯(lián)一支約1μF～10μF/AC400V的電容，電容的具體值要視相移量而決定锨用。

5丰刊、在可控硅的陰極和陽極二端就近并接一電阻與電容的串聯(lián)吸收回路，將有助于系統(tǒng)的長期可靠工作增拥，電阻可選1.5Ω/1W啄巧，電容可選0.1μF/630VAC左右的規(guī)格。

6掌栅、采用可控硅作控制器件時(shí)秩仆，要保證可控硅器件有夠大的散熱板，由于熱空氣是向上流動(dòng)的猾封，因此可控硅的散熱槽應(yīng)呈垂直狀澄耍，且有良好的通風(fēng)條件，以保證在長期工作時(shí)忘衍，可控硅的結(jié)溫不超過110℃逾苫，相當(dāng)于散熱板靠近可控硅部分的溫度不超過約85℃。

7枚钓、如果可控硅散熱器帶電铅搓，安裝時(shí)應(yīng)充分考慮觸電及多個(gè)可控硅之間相互斷路的止預(yù)案。

8搀捷、采用“Y”形加中線接法時(shí)星掰，可控硅的峰值耐壓下限值為600V。采用“△”形接法或“Y”形無中線接法時(shí)嫩舟，可控硅的耐壓值為1000V氢烘。可控硅的額定電流宜在實(shí)際使用電流的1.5倍以上家厌。

9播玖、欲以可控硅驅(qū)動(dòng)工頻感應(yīng)爐或降壓變壓器燈電感性負(fù)載，必須訂做專門的儀表饭于，如果使用普通常規(guī)儀表驅(qū)動(dòng)可控硅去控制電感性負(fù)載蜀踏，極有可能導(dǎo)致可控硅損壞和系統(tǒng)失控维蒙。

10、由于多數(shù)單相可控硅和雙向可控硅外觀相同果覆，一次在選購時(shí)必須搞清楚需要的可控硅類型和徐昂的可控硅是否真正相符颅痊，絕不可混淆，否則有可能造成以脈沖直流驅(qū)動(dòng)負(fù)載局待，燒毀儀表內(nèi)部的反饋?zhàn)儔浩靼呦欤虬言O(shè)計(jì)的半功率加熱變成全功率加熱，燒毀加熱對(duì)象钳榨。

11舰罚、為防止因負(fù)載對(duì)地短路而損壞可控硅，故一般可將負(fù)載接于相線端薛耻，使可控硅處于低電位端（見下圖）沸停。